半導體的原材料は、原子半導體と無機單質半導體の2種類に分類できます。第一類はシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）などで進行された半導體です。後者はガリウムヒ素（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（ SiC）およびその他の無機單質。 半導體は過去に3世時代代の変化を経験しました。 ヒ化ガリウム（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、および炭化ケイ素（SiC）半導體は、それぞれ第2世時代代および第5世時代代の半導體の代表著です。これらは、第8世時代代の半導體よりもはるかに優れた高周波能と氣溫能、および製造コストを持っています また、より高価です。
