APPLICATION FIELD 応用分野
化學物質半導體技術
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光(guang)(guang)電(dian)(dian)器(qi)件芯(xin)(xin)片(pian)行(xing)(xing)業村料可構(gou)成(cheng)單質光(guang)(guang)電(dian)(dian)器(qi)件芯(xin)(xin)片(pian)行(xing)(xing)業及有機物光(guang)(guang)電(dian)(dian)器(qi)件芯(xin)(xin)片(pian)行(xing)(xing)業三(san)種(zhong)，往往如硅（Si）、鍺(Ge）等所出現 的光(guang)(guang)電(dian)(dian)器(qi)件芯(xin)(xin)片(pian)行(xing)(xing)業，前者為砷化(hua)鎵（GaAs）、氮化(hua)鎵（GaN）、氫氟酸處(chu)理(li)硅（SiC）等有機物出現。半導 體過去了的主要的經(jing)歷作文(wen)了3代(dai)變幻。砷化(hua)鎵（GaAs）、 氮化(hua)鎵（GaN）和氫氟酸處(chu)理(li)硅（SiC）光(guang)(guang)電(dian)(dian)器(qi)件芯(xin)(xin)片(pian)行(xing)(xing)業分開(kai) 用于其次(ci)代(dai)和第3代(dai)光(guang)(guang)電(dian)(dian)器(qi)件芯(xin)(xin)片(pian)行(xing)(xing)業的表達，想必(bi)第一次(ci)代(dai)光(guang)(guang)電(dian)(dian)器(qi)件芯(xin)(xin)片(pian)行(xing)(xing)業低頻(pin)功(gong)效(xiao)、持續高溫功(gong)效(xiao)優 異大多數，制造出資金也愈(yu)加過高。
有機(ji)物ウェーハ用(yong)
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半(ban)(ban)導體(ti)原材料には、無素半(ban)(ban)導體(ti)と氧化(hua)(hua)物(wu)半(ban)(ban)導體(ti)の2種類があり、往往はSiやGeなどの半(ban)(ban)導體(ti)で型(xing)成され、後者はGaAs、GaN、SiCなどの氧化(hua)(hua)物(wu)で型(xing)成されます。 半(ban)(ban)導體(ti)は3時(shi)代(dai)相(xiang)傳(chuan)にわたって変化(hua)(hua)を遂げてきました。 GaAs、GaNおよびSiC半(ban)(ban)導體(ti)は、それぞれ第(di)2時(shi)代(dai)相(xiang)傳(chuan)および第(di)三時(shi)代(dai)相(xiang)傳(chuan)の半(ban)(ban)導體(ti)の代(dai)替として、第(di)4時(shi)代(dai)相(xiang)傳(chuan)の半(ban)(ban)導體(ti)よりもはるかに優れた高周波(bo)功(gong)能(neng)參數と低溫(wen)功(gong)能(neng)參數を備えており、製造コストも高くなっています。
化(hua)學物質(zhi)半導體用磨(mo)研パッド
研磨墊
推薦：建立晶片穩固的高的還原率和較低的外表面有粗糙度，更有助于于之后的的制作。此款cnc精密機械加工墊還可以對無定形碳硅、砷化鎵、酸洗銦、安卓平板光學玻璃墨鏡和反射鏡、IC柔性板、陶瓷制品、硅片、藍晶石、等所選材質或鋼件的cnc精密機械加工。
煉制繊維磨研パッド
欠陥(xian)のないウェーハ外壁を得るために、この研磨(mo)機(ji)(ji)拋光パッドは、炭化(hua)ケイ素、ヒ化(hua)ガリウム、リン化(hua)インジウム、セラミック、シリコンウェーハ、サファイア、光學相(xiang)關材料ガラス、およびその他の相(xiang)關材料またはワークピースを研磨(mo)機(ji)(ji)拋光できます。
研磨パッド
ウェーハの安定した高い洗除率と低い外壁粗さは、後続の処理をより促進します。 この磨研パッドは、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、平らな光學薄膜ガラスとプリズム、IC基材、セラミック、シリコンウェーハ、サファイア、およびその他の材料やワークピースを磨研できます。
化學物(wu)質光電器(qi)件(jian)拋光液(ye)
單質半導體用碾(nian)磨(mo)液(ye)
